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外(wài)延産品

外(wài)延技(jì)術 | 外(wài)延工(gōng)藝 | 外(wài)延産品 | 外(wài)延設備

序号	特征	參數	測試方法
1	外(wài)延層摻雜(zá)劑	P,P+:Boron N,N+:Phosphorus, Arsine
2	外(wài)延層晶向	<100>,<111>
3	外(wài)延層電(diàn)阻率	P,N:10^-1 ∽ 10²Ω·cm	ASTM F723
4	外(wài)延層電(diàn)阻率中心值偏差	≤±5%	For 6'
5	外(wài)延層電(diàn)阻率均勻性	≤±3%	For 6'
6	外(wài)延層厚度	1 to 100 Micrometer	ASTM F95、F110
7	外(wài)延層厚度中心值偏差	≤±5%	For 6'
8	外(wài)延層厚度均勻性	≤±3%	For 6'
9	堆垛層錯(cuò)密度性	10/cm²	ASTM F1810
10	滑移線	5條，總長(cháng)度不超過圓片半徑	ASTM F1725 F1726
11	霧	NONE	ASTM F523
12	劃傷	NONE	ASTM F523
13	凹坑、桔皮、裂紋、鴉爪	NONE	ASTM F523
14	崩邊	NONE	ASTM F523
15	冠狀邊緣	表面上(shàng)凸起物(wù)高(gāo)度不超過1/3延層厚度	To be defined
16	異物(wù)	NONE	ASTM F523
17	背面沾污	NONE	ASTM F523
18	點缺陷	SEMI标準	ASTM F523

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新傲科(kē)技(jì)采用SIMOX，BONDING，SIMBOND和(hé)SSS四種工(gōng)藝，利用先進設備來(lái)制備SOI材料，以确保圓片能夠達到國(guó)際半導體(tǐ)标準，并能夠滿足當今世界主流IC生(shēng)産線的(de)要求。依靠強大而持續的(de)技(jì)術支持，整合國(guó)産化(huà)襯底片良好(hǎo)的(de)性價比以及強大而靈活的(de)加工(gōng)能力優勢，向客戶提供專業(yè)化(huà)的(de)外(wài)延服務。